Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
SCS220AE2GC11
650V, 20A, 3-PIN THD, SILICON-CA
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- SCS220AE2GC
SCS220AE2GC11 Hakkında
SCS220AE2GC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V/20A kapasiteli Silicon Carbide Schottky diyot dizisidir. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, 1 Pair Common Cathode konfigürasyonuna sahiptir. 10A DC ortalama doğrultulmuş akım, 1.55V maksimum forward voltaj (@10A) ve 175°C işletim sıcaklığı özellikleri ile tasarlanmıştır. Reverse recovery time'ı 0 ns olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Endüstriyel güç kaynakları, güç yönetimi devreleri ve yüksek frekansli doğrultma uygulamalarında tercih edilir. Through Hole montaj tipi ile PCB entegrasyonu kolaydır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 10A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 600 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.55 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok