Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
SBCX19LT1G
TRANS NPN 45V 0.5A SOT23
SBCX19LT1G Hakkında
SBCX19LT1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup SOT-23-3 (TO-236) paketinde sunulmaktadır. Bu transistör, maksimum 45V collector-emitter breakdown voltajı ve 500mA collector akımı ile orta seviye anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 300mW güç dağıtım kapasitesi ve geniş -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve ticari uygulamalarda güvenilir performans sağlar. DC current gain değeri 100mA collector akımında ve 1V Vce'de minimum 100'dür. Vce saturation voltajı 620mV olup, 50mA base akımında ve 500mA collector akımında ölçülmüştür. Compact surface mount konfigürasyonu sayesinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında tercih edilir. Genel amaçlı anahtarlama, sinyal amplifikasyonu ve düşük frekanslı uygulamalarda uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 620mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok