Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
SBCW72LT1G
SBCW72 - NPN BIPOLAR TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- SBCW72
SBCW72LT1G Hakkında
SBCW72LT1G, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 100mA kolektör akımı ve 300MHz transition frequency ile genel sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bileşen, 45V maximum collector-emitter gerilim ve 300mW güç tüketimiyle düşük seviye analog ve dijital devre tasarımlarında yer alır. 200 minimum DC current gain (hFE) değeri, zayıf sinyallerin güvenilir şekilde işlenmesini sağlar. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol ve haberleşme cihazlarında yaygın olarak tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok