Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

SBCW33LT1G

TRANS NPN 32V 100MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
SBCW33LT1G

SBCW33LT1G Hakkında

SBCW33LT1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey monte paketinde sunulan bu transistör, 32V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışır. 420 minimum DC current gain (hFE) değeri ile düşük sinyal seviyesi uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 300mW maksimum güç yayılımı kapasitesine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında geniş sıcaklık aralığında çalışabilen bu bileşen, genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, endüstriyel kontrol uygulamalarında ve tüketici elektroniklerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Compact paketleme sayesinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uyum sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 300 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 32 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok