Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
SBCW30LT1G
TRANS PNP 32V 100MA SOT23-3
SBCW30LT1G Hakkında
SBCW30LT1G, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, maksimum 32V kolektör-emiter gerilimi ve 100mA kolektör akımı ile çalışabilir. DC akım kazancı (hFE) 2mA kolektör akımında 5V gerilimde minimum 215 değerine sahiptir. 300mW güç dağıtım kapasitesi ve geniş -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve ticari uygulamalarda kullanılmaya uygun bir komponenttir. Düşük kollektör-emiter doyma gerilimi (300mV @ 500µA, 10mA) özellikleriyle anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 215 @ 2mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok