Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

SBCP56T1G

TRANS NPN 80V 1A SOT-223

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
SBCP56T1G

SBCP56T1G Hakkında

SBCP56T1G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 80V kollektör-emitör breakdown voltajı ve 1A maksimum kollektör akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 1.5W maksimum güç dağıtım kapasitesine sahip olan SBCP56T1G, 130MHz transition frequency ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılabilir. -65°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sunar. Düşük Vce saturation voltajı (500mV @ 500mA) nedeniyle anahtarlama devrelerinde verim kaybını minimize eder. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition 130MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power - Max 1.5 W
Supplier Device Package SOT-223 (TO-261)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok