Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

SBCP56-16T3G

TRANS NPN 80V 1A SOT-223

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
SBCP56-16T3G

SBCP56-16T3G Hakkında

SBCP56-16T3G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). SOT-223 (TO-261-4) yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, maksimum 1A kolektör akımı ve 80V kolektör-emitter gerilim derecelendirmesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.5W maksimum güç derecelendirmesi ve 130MHz transition frequency ile RF ve anahtarlama devrelerinde yer alabilir. 500mV doyum gerilimi (saturasyon), düşük kayıp anahtarlama için avantajlı bir özelliktir. DC akım kazancı (hFE) minimum 100 olup 150mA kolektör akımında 2V Vce'de ölçülür. -65°C ile +150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel uygulamalarda güvenilir kullanım sağlar. Anahtarlama devreleri, sinyal amplifikasyonu ve düşük frekanslı amplifier tasarımlarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition 130MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power - Max 1.5 W
Supplier Device Package SOT-223 (TO-261)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok