Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

SBC857BLT1G

TRANS PNP 45V 100MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
SBC857

SBC857BLT1G Hakkında

SBC857BLT1G, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, maksimum 45V kolektör-emiter gerilimi ve 100mA kolektör akımı kapasitesine sahiptir. 100MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) 2mA, 5V koşullarında minimum 220 değerindedir. -55°C ile 150°C arasında işletim sıcaklığı aralığında çalışmaktadır. Maksimum 300mW güç tüketimi ile düşük güç uygulamalarında tercih edilir. Ses amplifikatörleri, sinyal anahtarlama devreleri, darbe kontrol ve genel amaçlı lojik seviyelendirme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 300 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok