Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

SBC857ALT1G

TRANS PNP 45V 100MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
SBC857

SBC857ALT1G Hakkında

SBC857ALT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek hızlı PNP bipolar junction transistördür. SOT-23-3 (TO-236) SMD paketinde sunulan bu komponent, 45V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışabilir. 100MHz transition frequency ve 125 minimum DC current gain (hFE) özellikleri ile, hızlı anahtarlama ve düşük seviye sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 650mV maksimum doyum gerilimi sayesinde düşük güç tüketimine sahiptir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, 300mW maksimum güç kapasitesi ve 15nA maksimum cutoff akımı ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 300 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok