Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

SBC847BLT1G

TRANS NPN 45V 100MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
SBC847

SBC847BLT1G Hakkında

SBC847BLT1G, onsemi tarafından üretilen genel amaçlı NPN bipolar junction transistörüdür. SOT-23-3 (SC-59) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 100 mA collector akımı ve 45 V collector-emitter geriliminde çalışmaya tasarlanmıştır. 200 mA minimum DC akım kazancı (hFE) ile küçük sinyal amplifikasyon ve switching uygulamalarında kullanılır. 100 MHz transition frequency sayesinde orta frekanslı devre tasarımlarında uygulanabilir. Maksimum 300 mW güç tüketimi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, geniş uygulama yelpazesini destekler. Ses amplifikatörleri, RF devreler, lojik buffer seviyelendirmesi ve genel sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 300 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok