Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
SBC808-25LT1G
SBC808-25 - PNP BIPOLAR TRANSIST
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- SBC808
SBC808-25LT1G Hakkında
SBC808-25LT1G, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-23-3 (TO-236) paketinde sunulan bu transistör, 25V collector-emitter breakdown voltajı ve 500mA maksimum collector akımı ile düşük güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency ile hızlı komütasyon gerektiren devrelerde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 300mW maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. Minimum 160 hFE DC current gain değeri ile sinyal amplifikasyonunda yeterli kazanç sağlar. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol ve otomotiv uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok