Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

S8550-B-AP

DIODE

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
S8550

S8550-B-AP Hakkında

S8550-B-AP, Micro Commercial Components tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistöründür. TO-92 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 500mA collector akımı ve 625mW güç tüketim kapasitesine sahiptir. 150MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 85 minimum DC current gain (hFE) değeri ile genel amaçlı anahtarlama, sinyal amplifikasyonu ve kontrol devrelerinde uygulanır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve otomotiv ortamlarında tercih edilir. 600mV saturation voltajı ve 25V collector-emitter breakdown voltajı belirtilen limitler içinde kontrol edilmelidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 200nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 85 @ 50mA, 1V
Frequency - Transition 150MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok