Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
S8050-D-AP
TRANSISTOR TO-92
S8050-D-AP Hakkında
S8050-D-AP, Micro Commercial Components tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup TO-92 paket formatında sunulmaktadır. Maksimum 500mA collector akımı, 25V collector-emitter breakdown voltajı ve 625mW güç yönetim kapasitesiyle tasarlanmıştır. 150MHz transition frekansı ve 160 minimum DC current gain (hFE) değeri ile düşük sinyalli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı endüstriyel ortamlara uygundur. TTL ve CMOS lojik devreleriyle uyumlu olup ses amplifikatörleri, fotoelektrik sensörler ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanmıştır. Through-hole montaj türü PCB üzerine doğrudan lehimlemeye imkan tanır. Bileşenin production status obsolete olup yedek ve restore projelerinde tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 50mA, 1V |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok