Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

S8050-B-AP

DIODE

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
S8050

S8050-B-AP Hakkında

S8050-B-AP, Micro Commercial Components (MCC) tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. TO-92 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 500mA kolektör akımı ve 25V çökertici-emitör gerilimi ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 150MHz transition frequency ile düşük frekans işaretlerin işlenmesine uygundur. 85'lik minimum DC akım kazancı (hFE @ 50mA, 1V) ve 600mV doyum gerilimi ile küçük sinyal ve orta güç uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Maksimum 625mW güç tüketimiyle radyo ve ses devreleri, kontrol sistemleri ve endüstriyel otomasyon uygulamalarında yaygın olarak kullanılmıştır. Not: Bu ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 85 @ 50mA, 1V
Frequency - Transition 150MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok