Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
S4D20120H
DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
- Üretici
- SMC Diode Solutions
- Paket/Kılıf
- TO-247-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- S4D20120H
S4D20120H Hakkında
S4D20120H, SMC Diode Solutions tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 1200V ters voltaj dayanımı ve 20A ortalama doğrultma akımına sahip bu bileşen, yüksek frekans uygulamaları ve güç elektorniği sistemlerinde kullanılır. Sıfır ters kurtarma süresi (trr) sayesinde anahtarlama kayıplarını minimuma indirir. TO-247-2 paketinde sağlanan komponent, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 1.8V forward voltajda 20A akım yönetebilir. DC/DC konvertörleri, invertörler ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 721pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 20A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 20 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok