Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

S4D20120A

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

Paket/Kılıf
TO-220-2
Seri / Aile Numarası
S4D20120A

S4D20120A Hakkında

S4D20120A, SMC Diode Solutions tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. 1200V ters gerilim dayanımı ve 20A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-2 paketinde sunulan bu komponent, 0ns ters kurtarma süresine (reverse recovery time) sahip olup yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında düşük kayıp sağlar. Düşük ön gerilim düşüşü (1.8V @ 20A) ile enerji verimliliği artırır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu diyot, güç kaynakları, inverterler, motor sürücüleri ve endüstriyel elektronik sistemlerde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 721pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 20A
Current - Reverse Leakage @ Vr 40 µA @ 1200 V
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case TO-220-2
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package TO-220AC (TO-220-2)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.8 V @ 20 A

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok