Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
S4D10120H
DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
- Üretici
- SMC Diode Solutions
- Paket/Kılıf
- TO-247-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- S4D10120H
S4D10120H Hakkında
S4D10120H, SMC Diode Solutions tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 1200V ters voltaj ve 10A ortalama doğrultma akımı kapasitesiyle, yüksek voltaj ve yüksek güç uygulamalarında kullanılmaktadır. Sıfır reverse recovery time (trr) özelliği sayesinde anahtarlama kayıplarını minimize eder. TO-247-2 paketinde sunulan bu komponent, güç kaynakları, invertörler, şarj cihazları ve endüstriyel uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. 1.8V maksimum forward voltajı ile düşük iletim kaybı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 772pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 30 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok