Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
S4D10120ETR
DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
- Üretici
- SMC Diode Solutions
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- S4D10120ETR
S4D10120ETR Hakkında
S4D10120ETR, SMC Diode Solutions tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. 1200V ters voltaj dayanımı ve 10A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paketle sunulan bu diyot, 0ns ters toparlanma zamanı (reverse recovery time) sayesinde yüksek frekans anahtarlama devrelerinde ve enerji dönüştürme sistemlerinde yer alır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 1.8V maksimum forward voltajı ve 30µA ters sızıntı akımı özellikleri ile verimli doğrultma işlemi gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 772pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 30 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok