Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
S4D08120ETR
DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
- Üretici
- SMC Diode Solutions
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- S4D08120ETR
S4D08120ETR Hakkında
S4D08120ETR, SMC Diode Solutions tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. 1200V ters voltaj dayanımı ve 8A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. Sıfır ters iyileşme süresi (trr) sayesinde anahtarlama kayıplarını minimize eder. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, şarj kontrolleri, güç kaynakları, invertörler ve yüksek frekanslı doğrultucu uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. 1.8V ileri gerilim düşüşü ile enerji verimliliği destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 560pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 15 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 8 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok