Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

S4D05120A

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

Paket/Kılıf
TO-220-2
Seri / Aile Numarası
S4D05120A

S4D05120A Hakkında

S4D05120A, SMC Diode Solutions tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 1200V reverse voltage (Vr) ve 5A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-2 paketinde sunulan diyot, 1.8V forward voltage ile karakterize edilmiştir. Sıfır reverse recovery time (trr) özelliği sayesinde anahtarlama hızında avantaj sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 20µA reverse leakage current ve 302pF kapasitans değerleri ile hassas uygulamalara uygundur. Güç kaynakları, invertörler ve yüksek frekans anahtarlama devrelerinde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 302pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 5A
Current - Reverse Leakage @ Vr 20 µA @ 1200 V
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case TO-220-2
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package TO-220AC (TO-220-2)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.8 V @ 5 A

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok