Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
S4D04120ETR
DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
- Üretici
- SMC Diode Solutions
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- S4D04120ETR
S4D04120ETR Hakkında
S4D04120ETR, SMC Diode Solutions tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 1200V ters gerilim kapasitesi ve 4A ortalama doğrultma akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Schottky teknolojisi sayesinde sıfır reverse recovery time (trr) sunarak anahtarlama kayıplarını minimize eder. TO-252-3 (DPak) yüzey monte paketinde gelen bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 1.8V forward voltage @ 4A özelliği ile enerji verimliliği sağlar. Endüstriyel güç kaynakları, inverterler, fotovoltaik sistemler ve hızlı anahtarlamalı güç dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 302pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 4 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok