Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
S4D02120ETR
DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
- Üretici
- SMC Diode Solutions
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- S4D02120ETR
S4D02120ETR Hakkında
S4D02120ETR, SMC Diode Solutions tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 1200V ters voltaj dayanımı ve 2A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Sıfır reverse recovery time (trr) özelliği ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu diyot, güç kaynakları, invertör devreleri, PFC (Power Factor Correction) uygulamaları ve endüstriyel konvertörlerde yaygın olarak tercih edilir. 1.8V forward voltage ile düşük ısı kaybı özelliği taşır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 116pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 2 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok