Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

S3D10065ETR

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
S3D10065ETR

S3D10065ETR Hakkında

S3D10065ETR, SMC Diode Solutions tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. 650V ters voltaj ve 10A ortalama doğrultulanmış akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPAK) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 1.7V maksimum forward voltage düşüşü ile düşük ısı kaybı sağlar. Silicon Carbide teknolojisi sayesinde sıfır reverse recovery time özelliğine sahiptir, bu da anahtarlama hızını artırır ve EMI'yi azaltır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen komponentin 621pF kapasitanısı bulunmaktadır. Güç kaynakları, inverterler, motor sürücüleri ve yüksek frekanslı switching uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 621pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 10A
Current - Reverse Leakage @ Vr 20 µA @ 650 V
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package DPAK
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 10 A

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok