Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

S200-50

RF TRANS NPN 110V 30MHZ 55HX

Paket/Kılıf
55HX
Seri / Aile Numarası
S200-50

S200-50 Hakkında

S200-50, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi RF transistördür. 110V collector-emitter breakdown voltajı ve 30A maksimum kolektör akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 1.5MHz ile 30MHz arasında transition frequency'ye sahip bu bileşen, RF ve mikrodalga amplifikatör devrelerinde, broadcast yayın ekipmanlarında ve endüstriyel RF haberleşme sistemlerinde yer alır. 320W maksimum güç kapasitesi ve 55HX Chassis Mount paketlemesi ile tasarlanmıştır. 150°C maksimum işletme sıcaklığında güvenilir performans sunmaktadır. Ürün şu anda üretimden kaldırılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 30A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 1A, 5V
Frequency - Transition 1.5MHz ~ 30MHz
Gain 12dB ~ 14.5dB
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 55HX
Part Status Obsolete
Power - Max 320W
Supplier Device Package 55HX
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 110V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok