Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
S1MLHR3G
DIODE GEN PURP 1000V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- S1MLHR3G
S1MLHR3G Hakkında
S1MLHR3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 1000V 1A kapasiteli genel amaçlı doğrultucu diyottur. Sub SMA (DO-219AB) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 1.1V maksimum forward voltaj düşüşü ve 1.8 µs reverse recovery time özelliklerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu diyot, endüstriyel güç kaynakları, invertörler, AC-DC konverterler ve denetim devrelerinde kullanılır. 5 µA ters sızıntı akımı ile güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 1000 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.8 µs |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok