Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
S1KL R3G
DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- S1KL
S1KL R3G Hakkında
S1KL R3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı standart recovery diyodudur. 800V ters gerilim ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç kaynakları, LED sürücüler ve AC/DC dönüştürücülerde yer alan uygulamalarda kullanılır. Sub SMA (DO-219AB) yüzey montaj paketinde sunulan bu diyot, 1.1V maksimum ileri gerilim düşüşü ve 1.8µs reverse recovery time özelliği ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilmektedir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 9pF kapasitans @ 4V, 1MHz değeri ile RF uygulamalarında da değerlendirilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 800 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.8 µs |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok