Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

S1JVNJD2873T4G

TRANSISTOR PNP BIPO

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
S1JVNJD2873T4G

S1JVNJD2873T4G Hakkında

onsemi tarafından üretilen S1JVNJD2873T4G, NPN tipi bipolar transistördür. Surface Mount (DPak/TO-252-3) paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 2A maksimum kolektör akımı, 65MHz transition frequency ve 120 minimum DC current gain (hFE) ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 1.68W maksimum dissipation power ile endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -65°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 2 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition 65MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 1.68 W
Supplier Device Package DPAK
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok