Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
S1JLHRQG
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- S1JLHRQG
S1JLHRQG Hakkında
Taiwan Semiconductor tarafından üretilen S1JLHRQG, genel amaçlı doğrultucu diyottur. 600V ters gerilim ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesiyle güç kaynağı uygulamalarında, AC/DC dönüşümde ve sinyal korumasında kullanılır. Sub SMA yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. 1.8 µs reverse recovery time ile hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalara uygundur. Maksimum 1.1V forward voltaj düşümü ve 5 µA reverse leakage current özellikleriyle enerji verimliliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.8 µs |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok