Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
S1JLHRHG
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- S1JLHRHG
S1JLHRHG Hakkında
S1JLHRHG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı silisyum doğrultma diyotudur. 600V ters voltaj dayanımı ve 1A ortalama doğrultma akımı kapasitesi ile düşük ve orta güç uygulamalarında kullanılır. Sub SMA yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. 1.8 µs ters kurtarma süresi (trr) ve standart hızlı kurtarma karakteristiği ile güç kaynağı devreleri, adaptörler, AC/DC konverterler ve endüstriyel elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında stabil çalışan bileşen, 1.1V maksimum ileri gerilim düşüşü ile verimli doğrultma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.8 µs |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok