Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
S1JLHMQG
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- S1JLHMQG
S1JLHMQG Hakkında
S1JLHMQG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultucu diyottur. 600V ters gerilim dayanımı ve 1A ortalama doğrultma akımı kapasitesi ile güç kaynakları, AC/DC konverterler ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. Sub SMA (DO-219AB) yüzey montajlı paketinde sunulan bu diyot, 1.8 µs reverse recovery time ile standart hızlı ve hızlı doğrultucu uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 1.1V forward gerilim düşüşü ve 5µA ters sızıntı akımı özellikleriyle -55°C ile 175°C geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.8 µs |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok