Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
S1GLHR3G
DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- S1GLHR3G
S1GLHR3G Hakkında
S1GLHR3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 400V 1A kapasiteli genel amaçlı doğrultma diyodudur. Sub SMA (DO-219AB) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, adaptörler ve düşük güçlü DC uygulamalarında kullanılır. Maksimum 1.1V forward voltage ile verimli çalışan diyot, 1.8 µs reverse recovery time'ı sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile 175°C arasında işletilmesi mümkün olan bileşen, 5 µA reverse leakage akımıyla düşük kayıp sağlar. Endüstriyel elektronik ve tüketici ürünleri tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 400 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.8 µs |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 400 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok