Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
S1BLHMQG
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- S1BLHMQG
S1BLHMQG Hakkında
S1BLHMQG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultma diyotudur. 100V ters gerilim ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip bu bileşen, Sub SMA (DO-219AB) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 1.8 µs reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir ve 1.1V maksimum forward voltaj düşümü sağlar. -55°C ile 175°C arasında güvenli çalışan bu diyot, güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler, anahtarlamış güç kaynakları ve diğer doğrultma uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Düşük ters sızıntı akımı (5 µA @ 100V) sayesinde verimliliği artırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.8 µs |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok