Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

S1AL R3G

DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Paket/Kılıf
DO-219AB
Seri / Aile Numarası
S1AL

S1AL R3G Hakkında

S1AL R3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultma diyotudur. 50V ters gerilim ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip, Sub SMA (DO-219AB) yüzey montajlı pakette tasarlanmıştır. 1.1V @ 1A forward gerilimi ve 5µA @ 50V ters sızıntı akımı ile karakterize edilen bu diyot, anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, ses/video ekipmanları ve genel amaçlı AC/DC dönüştürme devrelerinde kullanılır. 1.8µs reverse recovery time ve standard recovery hızı ile standart yüksek hızlı uygulamalar için uygun olup, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 9pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 1A
Current - Reverse Leakage @ Vr 5 µA @ 50 V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case DO-219AB
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 1.8 µs
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package Sub SMA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1 V @ 1 A

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok