Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RSFML R3G
DIODE GEN PURP 1KV 500MA SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RSFML R3G
RSFML R3G Hakkında
RSFML R3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 1000V ters gerilim dayanımına sahip genel amaçlı hızlı recovery diyotudur. 500mA ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. 500ns maksimum recovery time ile elektromanyetik parazitleri minimalize eder. Sub SMA (DO-219AB) yüzey montajlı paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Forward gerilimi 1.3V @ 500mA, reverse leakage akımı maksimum 5µA @ 1000V'dir. 4pF @ 4V kapasitans değeri ile yüksek frekanslı uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 4pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 500mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 1000 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 500 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 500 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok