Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

RSFKLHM2G

DIODE GEN PURP 800V 500MA SUBSMA

Paket/Kılıf
DO-219AB
Seri / Aile Numarası
RSFKLHM2G

RSFKLHM2G Hakkında

RSFKLHM2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı hızlı iyileşme diyotudur. 800V maksimum ters gerilim ve 500mA ortalama doğrulttucu akımı ile tasarlanmıştır. DO-219AB (Sub SMA) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 1.3V ileri gerilim düşüşü ve 500ns ters iyileşme zamanı özellikleriyle güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve AC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir ve 5µA ters sızıntı akımı belirtir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 500mA
Current - Reverse Leakage @ Vr 5 µA @ 800 V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Package / Case DO-219AB
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 500 ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package Sub SMA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3 V @ 500 mA

Kaynaklar

Datasheet

RSFKLHM2G PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok