Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RSFJL M2G
DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RSFJL
RSFJL M2G Hakkında
RSFJL M2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyotudur. 600V ters gerilim ve 500mA ortalama doğrultulu akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, 250ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Sub SMA (DO-219AB) yüzey montaj paketinde sunulan diyot, -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. 1.3V ileri gerilim değeriyle düşük güç kaybı özellikleri barındırır. Anahtarlama kaynakları, AC adaptörler, invertörler ve endüstriyel güç uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 4pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 500mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 250 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 500 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok