Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RSFBLHM2G
DIODE GEN PURP 100V 500MA SUBSMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RSFBLHM2G
RSFBLHM2G Hakkında
RSFBLHM2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyottur. 100V ters gerilim ve 500mA ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. DO-219AB (Sub SMA) yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, 150ns reverse recovery time ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.3V forward gerilim düşümü ve 5µA ters sızıntı akımı özellikleri vardır. Sıcaklık aralığı -55°C ile 150°C arasında çalışır. Güç kaynakları, AC/DC adaptörleri, anahtarlama kaynakları ve endüstriyel elektronik devrelerde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 4pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 500mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 500 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok