Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RSFALHM2G
DIODE GEN PURP 50V 500MA SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RSFALHM2G
RSFALHM2G Hakkında
RSFALHM2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı hızlı recovery diyotudur. 50V ters voltaj ve 500mA ortalama doğrultma akımı kapasitesine sahiptir. 150 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Sub SMA (DO-219AB) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Güç kaynakları, anahtarlama devreleri, AC doğrultma uygulamaları ve düşük voltaj inverter tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 4pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 500mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 50 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 50 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 500 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok