Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RS2BAHM2G
DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS2BAHM2G
RS2BAHM2G Hakkında
RS2BAHM2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı hızlı recovery diyotudur. 100V ters voltaj kapasitesi ve 1.5A ortalama doğrultulmuş akım değeriyle güç kaynakları, invertör devreleri ve AC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılır. Surface mount DO-214AC (SMA) paketinde sunulan bu diyot, 150 ns reverse recovery time ile düşük anahtarlama kayıplarını destekler. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 1.3V maksimum forward voltaj ve 5µA reverse leakage current özellikleriyle verimli çalışma sağlar. Ürün Digi-Key'de üretim durdurulmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1.5A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1.5 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok