Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RS1ML R3G
DIODE GEN PURP 1KV 800MA SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1ML
RS1ML R3G Hakkında
RS1ML R3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 1000V ters gerilim kapasiteli, 800mA ortalama doğrultma akımına sahip genel amaçlı fast recovery diyotudur. Sub SMA (DO-219AB) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 500ns ters kazanım zamanı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.3V forward voltaj ve 5µA ters sızıntı akımı özellikleri ile güç kaynakları, invertör devreleri, SMPS uygulamaları ve RF demodülasyon gibi alanlarda tercih edilmektedir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığı geniş uygulama yelpazesi sağlamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 800mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 1000 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 500 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 800 mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok