Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RS1ML M2G
DIODE GEN PURP 800MA SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1ML
RS1ML M2G Hakkında
RS1ML M2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı hızlı iyileştirme doğrultma diyotudur. 800mA ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç kaynakları, anahtarlı beslemeler ve dalga doğrultucu uygulamalarında kullanılır. 500ns'nin altında reverse recovery time'a sahip olan bu diyot, yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında verimliliği artırır. Sub SMA yüzeye monte paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 1000V ters voltaj koşullarında düşük kaçak akımı (5µA) gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 800mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 1000 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 500 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 800 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok