Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RS1KLHMQG
DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1KLHMQG
RS1KLHMQG Hakkında
RS1KLHMQG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyotudur. 800V ters gerilim ve 800mA ortalama doğrultma akımına sahip bu bileşen, yüksek hız uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 500ns ters kurtarma süresi (trr) sayesinde anahtarlamalı güç kaynakları, inverterler ve elektrik güç dönüştürme devrelerinde tercih edilir. Sub SMA (DO-219AB) yüzey montajlı pakette sunulan bu diyot, -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sunar. Forward voltajı 1.3V @ 800mA ve ters sızıntı akımı 5µA @ 800V olup, 10pF kapasitanslı yapısı hızlı anahtarlamayı destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 800mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 800 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 500 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 800 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok