Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RS1KLHM2G
DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1KLHM2G
RS1KLHM2G Hakkında
RS1KLHM2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyottur. 800V reverse voltaj ve 800mA ortalama doğrultulmuş akım kapasitesiyle uygulamalar için tasarlanmıştır. Sub SMA (DO-219AB) yüzey montaj paketiyle kompakt tasarımlar için uygundur. 500 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma aralığında devreye alınabilir. Güç kaynakları, yüksek voltajlı doğrultma devreleri ve enerji dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 1.3V forward voltage @ 800mA karakteristiği ile verimli doğrultma performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 800mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 800 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 500 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 800 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok