Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RS1JLHRVG
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1JLHRVG
RS1JLHRVG Hakkında
RS1JLHRVG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyotudur. 600V ters gerilime ve 800mA ortalama doğrultulmuş akıma dayanabilen bu bileşen, 250ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. DO-219AB (Sub SMA) yüzey montaj paketinde sunulan diyot, 1.3V ön gerilim düşümü ile güç kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sağlar. Enerji dönüştürme sistemleri, güç kaynakları, inverterler ve anahtarlı güç amplifikatörleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 800mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 250 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 800 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok