Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RS1JLHRQG
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1JLH
RS1JLHRQG Hakkında
RS1JLHRQG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyotudur. 600V ters gerilimine ve 800mA ortalama doğrultulmuş akımına dayanıklı olan bu bileşen, 250ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Sub SMA (DO-219AB) paketinde sunulan diyot, 1.3V forward voltage ve 5µA ters sızıntı akımı özellikleriyle güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler, anahtarlamalı güç devreleri ve koruma uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenli performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 800mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 250 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 800 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok