Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RS1JLHMTG
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1JLHMTG
RS1JLHMTG Hakkında
RS1JLHMTG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyottur. 600V ters voltaj ve 800mA ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip bu bileşen, power supply, inverter ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. DO-219AB (Sub SMA) yüzey montaj paketi ile tedarik edilen diyot, 250ns ters kurtarma süresi (trr) ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu komponentin maksimum forward voltajı 800mA'de 1.3V'dir. Düşük kapasitans değeri (10pF @ 4V) ve minimum ters sızıntı akımı (5µA @ 600V) özellikleriyle yüksek frekans uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 800mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 250 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 800 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok