Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RS1JL RUG
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1JL
RS1JL RUG Hakkında
RS1JL RUG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 600V 800mA kapasiteli general purpose doğrulttucu diyottur. Fast recovery karakteristiğine sahip bu bileşen, 250 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.3V forward voltage ile minimum güç kaybı sağlayan RS1JL RUG, -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. DO-219AB (Sub SMA) yüzey montaj paketinde sunulan bu diyot, güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 5µA reverse leakage akımı ve 10pF kapasitans değerleri ile kararlı performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 800mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 250 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 800 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok