Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RS1JL RQG
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1JL
RS1JL RQG Hakkında
RS1JL RQG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 600V 800mA kapasiteli fast recovery diyottur. Sub SMA (DO-219AB) paketinde sunulan bu genel amaçlı doğrultucu diyotu, 1.3V forward voltajında 800mA akım iletebilmektedir. 250ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı regülatörlerde yaygın olarak uygulanır. 5µA @ 600V ters sızıntı akımı ile düşük kaçak akım özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 800mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 250 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 800 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok