Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RS1JL RHG
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1JL
RS1JL RHG Hakkında
RS1JL RHG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultucu diyottur. 600V ters gerilim ve 800mA ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç kaynakları, adaptörler ve anahtarlamalı güç devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. Fast Recovery diyot özelliğine sahip olup 250ns reverse recovery time ile yüksek hızlı uygulamalara uygundur. DO-219AB (Sub SMA) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlarda yer kazandırır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. 1.3V maksimum forward voltaj düşüşü ile verimli doğrultma işlemi gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 800mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 250 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 800 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok