Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RS1JL R3G
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RS1JL
RS1JL R3G Hakkında
RS1JL R3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı hızlı recovery doğrultma diyotudur. 600V ters gerilim ve 800mA ortalama doğrultulmuş akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. DO-219AB (Sub SMA) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 250ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.3V ileri gerilim düşüşü ve 5µA ters sızıntı akımı özellikleriyle, anahtarlama güç kaynakları, adaptörler, inverterler ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 800mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 250 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 800 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok